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一种方片半导体脉冲功率开关及其制备方法
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专利号
2021111913687
专利类型
发明
申请日
2021-10-13 00:00:00
公开日
2022-02-01 00:00:00
法律状态
有效
国家/地区
中国
IPC分类号
H01L21/268
技术领域
H-电学
申请人/权利人
华中科技大学
摘要
本发明公开了一种方片半导体脉冲功率开关及其制备方法，包括：(1)将n型Si芯片清洗干净后，采用激光在Si芯片的周边位置进行单面开第一槽，第一槽的形状为方形；(2)对开设有第一槽的Si芯片进行掺杂处理并形成pnpn结构；(3)在pnpn结构的阳极四周内边缘刻蚀第二槽；(4)在pnpn结构的阳极四周外边缘刻蚀第三槽；且第三槽的宽度大于第二槽的宽度，第三槽的深度大于第二槽的深度；(5)对开槽后的Si芯片