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具有安培级电流密度析氢性能的Mo/MoO2面内异质结的制备
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专利号
2021100544551
专利类型
发明
申请日
2021-01-15 00:00:00
公开日
2021-06-04 00:00:00
法律状态
有效
国家/地区
中国
IPC分类号
C25B11/091
技术领域
C-化学；冶金
申请人/权利人
华中科技大学
摘要
本发明公开了一种具有安培级电流密度析氢性能的Mo/MoO2面内异质结的制备，包括以下步骤：(1)前驱体MoO2纳米片的制备：将原料MoO3粉末在氢气与惰性载气的混合气氛下于800～1000℃进行焙烧，得到前驱体MoO2纳米片；(2)将前驱体MoO2纳米片在混合气氛下于400～700℃进行焙烧，得到MoO2/Mo面内结材料。本发明通过对制备方法的反应机理、整体流程工艺设计等进行改进，利用两步分阶段的