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一种具有缓冲层的低功耗的相变存储单元及其制备方法
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专利号
2021100064959
专利类型
发明
申请日
2021-01-05 00:00:00
公开日
2021-06-04 00:00:00
法律状态
有效
国家/地区
中国
IPC分类号
H01L45/00
技术领域
H-电学
申请人/权利人
华中科技大学
摘要
本发明公开了一种具有缓冲层的低功耗的相变存储单元及其制备方法，属于微纳米电子技术领域。一种具有缓冲层的低功耗的相变存储单元包括衬底以及依次设置在衬底上的底电极、绝缘层和顶电极，绝缘层中具有连通顶电极和底电极的通孔，通孔内依次设置有加热电极、缓冲层和相变材料功能层，加热电极的下表面与底电极接触，相变材料功能层的上表面与顶电极接触，缓冲层材料为CuSbM2，其中，M为S或者Se。由于硫系化合物材料Cu