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一维链状晶体结构硒化锑薄膜及提高其空穴浓度的方法
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专利号
202111314386X
专利类型
发明
申请日
2021-11-08 00:00:00
公开日
2022-03-11 00:00:00
法律状态
有效
国家/地区
中国
IPC分类号
C23C14/06
技术领域
C-化学；冶金
申请人/权利人
华中科技大学; 华中科技大学温州先进制造技术研究院
摘要
本发明公开了一种提高一维链状晶体结构硒化锑薄膜空穴浓度的方法，其中，该方法包括：将掺杂剂和硒化锑以粉末形式充分混合，形成混合粉末，所述掺杂剂包括第Ⅳ主族元素单质或含有第Ⅳ主族元素的硒化物；将所述混合粉末进行烧结再研磨，得到掺杂粉末；将所述掺杂粉末作为蒸发源，通过气相转移沉积法得到掺杂硒化锑薄膜，所述掺杂硒化锑薄膜中的锑元素被所述掺杂剂中的第Ⅳ主族元素替换。选用第Ⅳ主族元素单质或含有第Ⅳ主族元素的硒