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内部有嵌入式电路的多层结构及其非接触式激光加工方法
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专利号
202111267641X
专利类型
发明
申请日
2021-10-29 00:00:00
公开日
2022-01-11 00:00:00
法律状态
有效
国家/地区
中国
IPC分类号
B23K26/362
技术领域
B-作业；运输
申请人/权利人
华中科技大学
摘要
本发明属于激光加工制备电路相关技术领域，其公开了一种内部有嵌入式电路的多层结构及其非接触式激光加工方法，包括以下步骤：(1)提供复合薄膜，复合薄膜为层状结构，其包括基底、形成在基底上的吸光聚合层及形成在吸光聚合层上的封装层；(2)采用激光对复合薄膜进行扫描，激光穿过所述基底后照射到吸光聚合层，被激光照射的吸光聚合层的区域发生碳化分解，碳化分解得到的残余物形成图案化的导电电路，实现了激光在夹层内部选