***
一种超晶格红外探测材料的能带结构计算方法
知法狮VIP-黄金卡
尊享会员价、24小时在线客服、7天无理由退换货
立即开通
贴心服务
快速响应
售后保障
快捷支付
专业团队
担保交易
领券
无门槛减69.99
满2000减138
- 介绍
- 参数
请编辑该产品详情...
价格
***
专利号
2022107457385
专利类型
发明
申请日
2022-06-29 00:00:00
公开日
2022-07-29 00:00:00
法律状态
有效
国家/地区
中国
IPC分类号
G06F17/15
技术领域
G-物理
申请人/权利人
武汉高德红外股份有限公司; 武汉高芯科技有限公司; 华中科技大学
摘要
本发明公开了一种超晶格红外探测材料的能带结构计算方法，包括如下步骤：确定所需优化的元素种类以及半导体种类；利用密度泛函计算各半导体的晶格常数，调节泛函参数或/和元素的赝势和基组，实现各半导体的晶格常数的优化，使计算出的各半导体的晶格常数满足设定要求，确定对应的泛函参数以及各元素的赝势和基组；基于以上步骤优化得到的泛函参数以及各元素的赝势、基组，计算超晶格红外探测材料的能带结构。本发明可以实现各种超