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一类AgMnSbTe3基高熵半导体材料及其制备
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专利号
2022111847139
专利类型
发明
申请日
2022-09-27 00:00:00
公开日
2022-12-20 00:00:00
法律状态
有效
国家/地区
中国
IPC分类号
C04B35/515
技术领域
C-化学；冶金
申请人/权利人
华中科技大学
摘要
本发明属于新型高熵半导体材料领域，公开了一类AgMnSbTe3基高熵半导体材料及其制备，该高熵半导体材料的化学式为AgMnXYSbTe5，其中，X，Y选自Ge，Sn，Pb中任意两种不同的元素，并且，Ag元素、Mn元素、X元素、Y元素、Sb元素和Te元素六者原子之比为1：1：1：1：1：5。本发明通过对材料的组成进行改进，相应得到的AgMnXYSbTe5(如，AgMnGePbSbTe5、AgMnGe