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一种提升储能层状材料离子嵌入/脱出速率的方法
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专利号
2020103530522
专利类型
发明
申请日
2020-04-29 00:00:00
公开日
2021-04-16 00:00:00
法律状态
有效
国家/地区
中国
IPC分类号
G01N27/48
技术领域
G-物理
申请人/权利人
华中科技大学
摘要
本发明公开了一种提升储能层状材料中离子嵌入/脱出速率的方法，通过制备层状正极材料，并将其置于不同电解液体系中，利用电化学检测及理论计算的方式对层状正极材料嵌离子后的晶格信息及不同条件下的离子扩散状态进行分析，得到层状正极材料的层间距与电解质阳离子尺寸的差值与离子嵌入/脱出速率间的关系，并通过对所述差值进行调控，提升储能层状材料离子嵌入/脱出速率，得到高倍率正极材料体系。通过上述方式，本发明能够得到