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一种金属‑半导体双纳米线型混合表面等离子波导结构
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专利号
2017103713235
专利类型
发明
申请日
2017-05-24 00:00:00
公开日
2017-08-11 00:00:00
法律状态
有效
国家/地区
中国
IPC分类号
G02B6/122
技术领域
G-物理
申请人/权利人
广西师范大学
摘要
本发明公开了一种金属‑半导体双纳米线型混合表面等离子波导结构，其特征是，包括自下而上顺序叠接的二氧化硅基底、低折射率缓冲层、低折射率介质包层和金属Ag纳米带顶层，所述低折射率缓冲层中设有对称掩埋的第一纳米线和第二纳米线，第一纳米线和第二纳米线之间刻蚀有低折射率介质连通间隙。这种波导结构能够提高更强的局域化约束，具备为表面等离子激励电路提供基本单元器件，从而实现更大的带宽超快数据传输。