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一种SnTe掺Ge热电材料及其制备方法
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专利号
2021101954638
专利类型
发明
申请日
2021-02-22
公开日
2023-08-01
法律状态
有效
国家/地区
中国
IPC分类号
H10N10/01
技术领域
H-电学
申请人/权利人
桂林电子科技大学
摘要
本发明公开了一种SnTe掺Ge热电材料的制备方法，包括步骤1，SnTe掺Ge热电材料的熔炼和步骤2，SnTe掺Ge热电材料的烧结。一种SnTe掺Ge热电材料的应用，在823 K的温度下，塞贝克系数高达126‑129µVK‑1，功率因子为20‑24µWm‑1K‑2，热导率低至2.69‑3.15 WK‑1m‑1，热电优值ZT在0.58‑0.62之间。相对于现有技术，本发明具有以下优点：相对于现有技术，