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一种ZnO@Ni/Co-ZIF储能薄膜的制备方法
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专利号
2022103566612
专利类型
发明
申请日
2022-04-06
公开日
2023-07-25
法律状态
有效
国家/地区
中国
IPC分类号
H01G11/86
技术领域
H-电学
申请人/权利人
广西大学
摘要
一种ZnO@Ni/Co‑ZIF储能薄膜的制备方法，它属于电化学储能领域，具体涉及一种ZnO@Ni/Co‑ZIF储能薄膜的制备方法。本发明的目的是要解决MOFs材料不易成膜和MOFs薄膜电化学活性差的问题。方法：一、制备氧化锌纳米棒阵列；二、刻蚀；三、水热反应，得到ZnO@Ni/Co‑ZIF储能薄膜。本发明得到的ZnO@Ni/Co‑ZIF薄膜具有电化学比电容高、循环稳定性好等优点，且薄膜制备过程简单