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一种3D杨絮衍生碳支撑NiCo-LDH纳米片超级电容器及制备方法
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专利号
2020101376741
专利类型
发明
申请日
2020-03-02
公开日
2021-07-20
法律状态
有效
国家/地区
中国
IPC分类号
H01G11/26(20130101)
技术领域
H-电学
申请人/权利人
齐鲁工业大学
摘要
本发明涉及一种3D杨絮衍生碳支撑NiCo‑LDH纳米片超级电容器及制备方法，属于电容器技术领域。本发明超级电容器由3D杨絮衍生碳与NiCo‑LDH纳米片组成，3D杨絮衍生碳尺寸达到微米级具有丰富的孔结构，与3D杨絮衍生碳框架复合后NiCo‑LDH纳米片棒尺寸减小。本发明的3D杨絮衍生碳支撑NiCo‑LDH纳米片超级电容器，具有良好的比容量，本发明制备方成本低廉，复合材料的倍率性能优越。