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一种高功率单横模半导体激光器及其控制方法
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专利号
2021110243809
专利类型
发明
申请日
2021-09-02 00:00:00
公开日
2022-01-14 00:00:00
法律状态
有效
国家/地区
中国
IPC分类号
H01S5/20
技术领域
H-电学
申请人/权利人
华中科技大学
摘要
本发明公开了一种高功率单横模半导体激光器及其控制方法，该激光器包括N面电极、N型衬底、下限制层、多量子阱有源区、上限制层、P型上包层、P型波导层和P面电极，P型波导层包括呈轴对称的第一脊波导阵列和第二脊波导阵列，第一脊波导阵列为增益波导阵列且具有增益系数γa，第二脊波导阵列为损耗波导阵列且具有损耗系数γb，第一脊波导阵列和第二脊波导阵列相互耦合，且具有基模耦合系数κ0和一阶模耦合系数κ1，第一脊波