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一种低温巨介电反铁磁陶瓷材料及其制备和应用
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专利号
2020115191219
专利类型
发明
申请日
2020-12-21 00:00:00
公开日
2021-03-19 00:00:00
法律状态
有效
国家/地区
中国
IPC分类号
C04B35/457
技术领域
C-化学；冶金
申请人/权利人
华中科技大学
摘要
本发明属于功能陶瓷材料技术领域，更具体地，涉及一种低温巨介电反铁磁陶瓷材料及其制备和应用。该陶瓷材料为由SnO2基陶瓷粉体材料经烧结得到，该SnO2基陶瓷粉体材料包括主成分SnO2粉体，还包括改性剂，所述改性剂为过渡金属氧化物粉体，所述改性剂在所述陶瓷粉体组合物中的摩尔比低于10％。该陶瓷材料在低于50K温度条件下具有稳定的巨介电性能、低介电损耗以及反铁磁性。