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一种基于OTS的动态存储结构及其操作方法
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专利号
2021112803491
专利类型
发明
申请日
2021-10-29 00:00:00
公开日
2022-01-28 00:00:00
法律状态
有效
国家/地区
中国
IPC分类号
G11C11/401
技术领域
G-物理
申请人/权利人
华中科技大学
摘要
本发明公开了一种基于OTS的动态存储结构及其操作方法,该动态存储结构包括多个呈阵列分布的存储单元,各存储单元包括OTS选通管和存储电容;在每个存储单元中,OTS选通管的第一端与存储电容的第一端相连,OTS选通管的第二端与存储电容的第二端为对应存储单元的输入端和输出端;其中,OTS选通管具有高阻态与低阻态两种状态,当OTS选通管两端电压超过阈值电压Vth时,OTS选通管由高阻态切换到低阻态,当处于低
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