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一种基于HfO2/ZrO2或HfO2/Al2O3超晶格铁电忆阻器及其制备
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专利号
202111270628X
专利类型
发明
申请日
2021-10-29 00:00:00
公开日
2022-02-08 00:00:00
法律状态
有效
国家/地区
中国
IPC分类号
H01L45/00
技术领域
H-电学
申请人/权利人
华中科技大学
摘要
本发明属于微电子器件技术领域，公开了一种超晶格铁电忆阻器，包括自下而上依次堆叠的下电极层、功能层和上电极层，其中，所述功能层是由至少一个超晶格单元构成的超晶格功能层，每一个超晶格单元是由第一功能材料和第二功能材料自下而上依次堆叠形成；该功能层中任意一个由第一功能材料或第二功能材料形成的子功能层的厚度均满足0.6‑5nm；第一功能材料为HfO2，第二功能材料为ZrO2或Al2O3。本发明通过对器件功