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一种相变存储器阵列的制备方法
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专利号
2020115340567
专利类型
发明
申请日
2020-12-23 00:00:00
公开日
2021-04-13 00:00:00
法律状态
有效
国家/地区
中国
IPC分类号
H01L45/00
技术领域
H-电学
申请人/权利人
华中科技大学
摘要
本发明属于微电子器件及存储器技术领域，公开了一种相变存储器阵列的制备方法，具体包括：在衬底上沉积多层薄膜结构，其中包括底电极层、加热电极层、选通材料层、连接阻挡层、相变功能层。薄膜制备完成之后仅利用一次光刻工艺对底电极以上部分整体实现图案化，然后进行刻蚀、填充单元间电热隔离绝缘层，并通过额外一次光刻工艺制备分立的顶电极，得到底电极‑功能材料‑顶电极结构完整、可操作的相变存储器阵列。工艺流程中光刻工