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一种波长可调谐半导体激光器
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专利号
2020114734824
专利类型
发明
申请日
2020-12-15 00:00:00
公开日
2021-04-06 00:00:00
法律状态
有效
国家/地区
中国
IPC分类号
H01S5/12
技术领域
H-电学
申请人/权利人
华中科技大学
摘要
本发明公开了一种波长可调的半导体激光器,包括有源区、相位区、光栅区和制作在光栅区内的相移区:相位区从上往下看由第二电极、第二包层、第一波导层和第二衬底构成;第一光栅区从上往下看由第三电极、第三包层、第一光栅层、第二波导层和第三衬底构成;相移区从上往下看由第四电极、第四包层、第三波导层和第四衬底构成;第二光栅区结构和第一光栅区完全一致。激光器左端面为解理面,激光器的输出光从这里出射。光栅区右端面通过
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