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硅含量呈梭形梯度分布的负极材料及其制备方法和应用
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专利号
2020111963357
专利类型
发明
申请日
2020-10-30 00:00:00
公开日
2021-01-29 00:00:00
法律状态
有效
国家/地区
中国
IPC分类号
H01M4/36
技术领域
H-电学
申请人/权利人
华中科技大学
摘要
本发明属于锂离子电池领域，并具体公开了硅含量呈梭形梯度分布的负极材料及其制备方法和应用。该负极材料具有预设数量的硅/石墨涂层，并且预设数量的硅/石墨涂层中硅含量从上至下先增大后减少，呈梭形梯度分布，从而在保证负极材料载量的情况下，缓解由于大变形导致的负极材料上表面的开裂以及负极与集流器界面的脱粘。本发明提供的硅含量呈梭形梯度分布的负极材料能够有效地缓解硅负极在充放电过程中体积膨胀所导致的失效问题，