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一种原位生长TiC纳米管的方法
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专利号
2020104276073
专利类型
发明
申请日
2020-05-19 00:00:00
公开日
2020-09-04 00:00:00
法律状态
有效
国家/地区
中国
IPC分类号
C01B32/921
技术领域
C-化学；冶金
申请人/权利人
华中科技大学
摘要
本发明公开了一种原位生长TiC纳米管的方法，属于复合材料技术领域。包括以下步骤：制备碳纳米管；在所述碳纳米管表面采用原子层沉积的方式生长Ti或TiO2；进行真空高温烧结，生成TiC纳米管。采用原子层沉积Ti/TiO2的方式，不仅保留碳纳米管阵列原本的形貌结构，可以有效实现对碳纳米管阵列的均匀包覆，从而规避了其他传统沉积方式的弊端，而且沉积Ti/TiO2的前驱体源很丰富，选择性更高。原位生长TiC纳