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一种双通道开关磁阻电机磁场调制驱动拓扑及其控制方法
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专利号
2020104356504
专利类型
发明
申请日
2020-05-21 00:00:00
公开日
2020-08-11 00:00:00
法律状态
有效
国家/地区
中国
IPC分类号
H02P6/04
技术领域
H-电学
申请人/权利人
华中科技大学
摘要
本发明公开了一种双通道开关磁阻电机磁场调制驱动拓扑及其控制方法,包括直流电源、十二开关双通道逆变器、驱动信号发生模块、两台磁场调制开关磁阻电机、位置传感器、电流传感器。驱动信号发生模块用于根据电流与位置传感器采集到的磁场调制开关磁阻电机绕组电流和转子位置,为所述逆变器中的开关管产生驱动信号;所述逆变器与两台磁场调制开关磁阻电机的三相绕组连接,所述逆变器中的开关管根据驱动信号改变开关状态,为所述两台
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