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一种基于MEMS的电离真空计及其制备方法
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专利号
2019105584774
专利类型
发明
申请日
2019-06-26 00:00:00
公开日
2019-10-18 00:00:00
法律状态
有效
国家/地区
中国
IPC分类号
B81C1/00
技术领域
B-作业；运输
申请人/权利人
华中科技大学
摘要
本发明公开了一种基于MEMS的电离真空计及其制备方法，本发明中的气压计芯片主要采用半导体微纳加工工艺，由SOI硅片上的发射体、门极、阳极构成；发射体是图案化的碳纳米管(CNT)阵列，使用CNT阵列作为冷阴极发射体材料，利用CNT优异的电学和热学性能等，可以降低气压计整体功耗，增强散热性能，从而提高气压计的稳定性；门极(Grid)采用深硅刻蚀加工形成具有高深宽比的三维(3D)对称劈尖结构，有效增强了