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一种选通管器件、存储器单元及制备方法
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专利号
2019107651523
专利类型
发明
申请日
2019-08-19 00:00:00
公开日
2019-12-13 00:00:00
法律状态
有效
国家/地区
中国
IPC分类号
H01L45/00
技术领域
H-电学
申请人/权利人
华中科技大学
摘要
本发明涉及一种选通管器件、存储器器件及制备方法。所述选通管器件包括第一电极层、开关层和第二电极层；其中，所述开关层的第一接触面与所述第一电极层接触且所述开关层的第二接触面与所述第二电极层接触；所述开关层为导电丝易生长层A和导电丝难生长层B交替堆叠形成的多层堆叠结构，所述导电丝易生长层A为硫系材料或低氧含量氧化物或掺杂有活性金属的硫系材料或含有活性金属的氧化物中的一种，所述导电丝难生长层B为去除缺陷