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一种基于忆阻交叉阵列的LSTM神经网络系统
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专利号
2018112366110
专利类型
发明
申请日
2018-10-23 00:00:00
公开日
2019-03-15 00:00:00
法律状态
有效
国家/地区
中国
IPC分类号
G06N3/04
技术领域
G-物理
申请人/权利人
华中科技大学
摘要
本发明公开了一种基于忆阻交叉阵列的LSTM神经网络系统，包括：输入层、特征提取层和分类输出层，特征提取层包括：数据存储器、第一忆阻交叉阵列、第一DA转换器和AD转换器，所述分类输出层包括：第二DA转换器、第二忆阻交叉阵列和电压比较器；所述第一忆阻交叉阵列，用于进行特征提取；所述第二忆阻交叉阵列，用于进行特征分类，所述电压比较器，用于对多个模拟电压进行比较，得到多个模拟电压的比较结果；将比较结果中的