***
基于氧掺杂的Sb2Te3相变材料、相变存储器及制备方法
知法狮VIP-黄金卡
尊享会员价、24小时在线客服、7天无理由退换货
立即开通
贴心服务
快速响应
售后保障
快捷支付
专业团队
担保交易
领券
无门槛减69.99
满2000减138
- 介绍
- 参数
请编辑该产品详情...
价格
***
专利号
202110312530X
专利类型
发明
申请日
2021-03-24 00:00:00
公开日
2021-07-06 00:00:00
法律状态
有效
国家/地区
中国
IPC分类号
C09K5/02
技术领域
C-化学；冶金
申请人/权利人
华中科技大学
摘要
本发明提供一种基于氧掺杂的Sb2Te3相变材料、相变存储器及制备方法，属于微纳电子技术领域，其采用简单的掺杂工艺实现对Sb2Te3的微观结构及器件特性进行全面调控的方法及其应用，在Sb2Te3相变层中形成“壳‑核”微观结构，其中，非晶低热导率的“壳层”晶界起到类似于异质界面的作用，对发生相变的晶粒也即“核”部进行物理隔断，并起到热阻作用，改善电热利用效率，降低RESET功耗。其中，非晶壳层晶界阻隔