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磁性原子掺杂的超晶格材料[GeTe/Sb2Te3]n晶体结构模型的构建方法
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专利号
2020108363954
专利类型
发明
申请日
2017-11-17 00:00:00
公开日
2020-11-17 00:00:00
法律状态
有效
国家/地区
中国
IPC分类号
H01L29/66
技术领域
H-电学
申请人/权利人
华中科技大学
摘要
本发明公开了一种磁性原子掺杂的超晶格材料[GeTe/Sb2Te3]n晶体结构模型的构建方法，包括如下步骤：第一步，建立超晶格材料[GeTe/Sb2Te3]n表面结构；第二步，选择表面结构进行磁性原子掺杂，建立磁性原子掺杂的超晶格材料[GeTe/Sb2Te3]n表面模型；第三步，对磁性原子掺杂的超晶格材料[GeTe/Sb2Te3]n模型进行结构优化及静态自洽计算；第四步，计算得到磁性原子掺杂后的表面