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3D NAND闪存阈值电压分布预测方法、设备及存储系统
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专利号
2021114392484
专利类型
发明
申请日
2021-11-30 00:00:00
公开日
2022-03-11 00:00:00
法律状态
有效
国家/地区
中国
IPC分类号
G11C16/34
技术领域
G-物理
申请人/权利人
华中科技大学
摘要
本发明公开了一种3D NAND闪存阈值电压分布预测方法、设备及存储系统，属于计算机存储领域，包括：获得已训练好的阈值电压分布预测模型，用于预测由N个干扰特征组合而成的输入特征集合SI对应的阈值电压分布；干扰特征为影响3D NAND闪存单元阈值电压分布的特征；N为正整数；获得3D NAND闪存的一个或多个干扰特征，组成待测特征集合SU；若则将SU中相对于SI缺失的干扰特征赋值为0，连同待测特征集合S