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一种大气压下等离子体容性耦合放电镀铜的装置及方法
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专利号
2021111166284
专利类型
发明
申请日
2021-09-23 00:00:00
公开日
2022-01-11 00:00:00
法律状态
有效
国家/地区
中国
IPC分类号
H05K3/42
技术领域
H-电学
申请人/权利人
华中科技大学
摘要
本发明属于集成电路/芯片制造中硅通孔(Through Silicon Via，TSV)加工领域，更具体地，涉及一种大气压下等离子体容性耦合放电镀铜的装置及方法。该装置中线圈环绕于柱状绝缘管的外壁；线圈的一端与匹配器连接射频电源的负极的一端相连接，线圈的另一端为自由端；铜丝穿过柱状绝缘管的中心通孔，铜丝的一端与匹配器连接射频电源的正极的一端相连接，铜丝的另一端为自由端；该装置工作时，所述铜丝的自由端