***
一种基于异质堆叠的二位相变存储器及其阻值测量方法
知法狮VIP-黄金卡
尊享会员价、24小时在线客服、7天无理由退换货
立即开通
贴心服务
快速响应
售后保障
快捷支付
专业团队
担保交易
领券
无门槛减69.99
满2000减138
- 介绍
- 参数
请编辑该产品详情...
价格
***
专利号
202111074140X
专利类型
发明
申请日
2021-09-14 00:00:00
公开日
2022-01-11 00:00:00
法律状态
有效
国家/地区
中国
IPC分类号
H01L45/00
技术领域
H-电学
申请人/权利人
华中科技大学
摘要
本发明提供了一种基于异质堆叠的二位相变存储器及其阻值测量方法，属于微电子存储器领域，二位相变存储器包括：异质堆叠模块、电极和隔离模块，异质堆叠模块为Ge‑Ga‑Sb和Ge‑Sb‑Te交替堆叠构建；在加热或电脉冲的作用下，异质堆叠模块存在四种阻值；第一种阻值为未加热或未施加电脉冲时的阻值；第二种阻值为Ge‑Sb‑Te发生结晶时的阻值；第三种阻值为Ge‑Ga‑Sb发生结晶时的阻值；第四种阻值为Ge‑G