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一种铯铜卤晶体的制备方法
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专利号
2022110446121
专利类型
发明
申请日
2022-08-30 00:00:00
公开日
2022-11-29 00:00:00
法律状态
有效
国家/地区
中国
IPC分类号
C01G3/00
技术领域
C-化学；冶金
申请人/权利人
华中科技大学鄂州工业技术研究院; 华中科技大学
摘要
本申请实施例提供一种铯铜卤晶体的制备方法，包括如下步骤：提供化学式为CsX和CuX的化合物，混合均匀得到反应物，其中X为Cl、Br、I中的至少一种；将所述反应物置于预定真空度下并加热至预定温度，同时使所述反应物进行预定时间的内部运动，得到熔体；在预定冷却速率下冷却所述熔体，得到所述铯铜卤晶体。本申请实施例提供的铯铜卤晶体的制备方法，整个制备过程十分简单，且得到的产物具有很高的纯度。