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一种激光直写相变材料的太赫兹微纳结构及其制备方法
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专利号
202211038942X
专利类型
发明
申请日
2022-08-29 00:00:00
公开日
2022-09-30 00:00:00
法律状态
有效
国家/地区
中国
IPC分类号
C23C14/06
技术领域
C-化学；冶金
申请人/权利人
华中科技大学
摘要
本发明公开了一种激光直写相变材料的太赫兹微纳结构及其制备方法，制备方法，包括下述步骤：S1采用磁控溅射工艺在基底上溅射一层相变材料层；S2在相变材料层上溅射SiO2保护层；S3通过激光诱导相变材料层中的相变材料部分区域从非晶态转变为晶态，并控制双轴位移台打印出大面积晶态图案阵列，获得太赫兹微纳结构或器件。其中，采用InSbTe系列材料作为溅射相变材料层的靶材。相变材料层的厚度为20nm~800nm