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设计磁障内永磁体长度的方法、系统、终端及存储介质
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专利号
2021111447447
专利类型
发明
申请日
2021-09-28 00:00:00
公开日
2022-01-04 00:00:00
法律状态
有效
国家/地区
中国
IPC分类号
H02K15/03
技术领域
H-电学
申请人/权利人
华中科技大学
摘要
本发明公开了一种设计磁障内永磁体长度的方法及其系统，其方法包括：根据转子结构建立如下等效磁路模型：第i层磁障和嵌于该磁障内的永磁体等效为并联结构且具有第i等效磁阻R′mi，穿过第i等效磁阻R′mi的磁通为第i等效磁通Φ′mi；穿过第i气隙磁阻Rgi的磁通为第i气隙磁通Φgi，前i层磁障至定子的磁路等效于前i‑1层的磁路与第i气隙磁阻Rgi并联后再与第i等效磁阻R′mi串联；第i层永磁体剩磁磁通Φr