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一种基于铯铅溴辐射探测器的溴气氛围后处理方法
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专利号
202011206305X
专利类型
发明
申请日
2020-11-03 00:00:00
公开日
2021-03-09 00:00:00
法律状态
有效
国家/地区
中国
IPC分类号
H01L31/18
技术领域
H-电学
申请人/权利人
华中科技大学
摘要
本发明属于半导体辐射探测领域，公开了一种基于铯铅溴辐射探测器的溴气氛围后处理方法，该方法是将铯铅溴CsPbBr3基的固体材料放置在含有溴气的氛围下以进行后处理，如此向铯铅溴CsPbBr3中额外引入Br原子减少溴空位缺陷，从而提高基于铯铅溴辐射探测器的辐射探测性能。本发明通过对铯铅溴基材料进行溴气氛围的后处理，能够有效减少铯铅溴CsPbBr3材料的缺陷态密度、降低暗态电流、提高辐射探测器的辐射探测性