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一种半导体薄膜光电探测器及其制备方法
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专利号
2019104902464
专利类型
发明
申请日
2019-06-06 00:00:00
公开日
2019-10-01 00:00:00
法律状态
有效
国家/地区
中国
IPC分类号
H01L31/18
技术领域
H-电学
申请人/权利人
华中科技大学
摘要
本发明属于半导体光电子器件领域，公开了一种半导体薄膜光电探测器及其制备方法，其中制备方法包括以下步骤：(1)配制用于生长硫属化合物光敏半导体薄膜的前体溶液，将洁净的衬底浸入前体溶液中进行一次化学浴沉积，对应得到20‑500nm厚的薄膜，利用仅一次化学浴沉积或重复多次化学浴沉积生长得到厚度达到目标要求的硫属化合物光敏半导体薄膜；(2)将衬底进行整体退火敏化处理；制作电极即可得到半导体薄膜光电探测器。