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Ga基范德华室温铁磁晶体材料、制备与应用
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专利号
2022108496122
专利类型
发明
申请日
2022-07-19 00:00:00
公开日
2022-11-18 00:00:00
法律状态
有效
国家/地区
中国
IPC分类号
C30B29/46
技术领域
C-化学；冶金
申请人/权利人
华中科技大学
摘要
本发明公开了Ga基范德华室温铁磁晶体材料、制备与应用，属于纳米磁性材料制备技术领域。材料为Fe3‑aGabTe2(a＝‑0.3～0.1, b＝0.8～1.2)和Fe5‑cGeGadTe2(c＝‑0.2～0.2, d＝0.01～0.5)。Fe3‑aGabTe2(a＝‑0.3～0.1, b＝0.8～1.2)的生长方法是自助熔剂法，以过量的Ga和Te作为助熔剂来生长晶体。Fe5‑cGeGadTe2(c＝