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一种基于二维硒化亚锗的偏振相位调制器件及其设计方法
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专利号
202011621668X
专利类型
发明
申请日
2020-12-30 00:00:00
公开日
2021-05-07 00:00:00
法律状态
有效
国家/地区
中国
IPC分类号
G02B1/08
技术领域
G-物理
申请人/权利人
华中科技大学; 中国科学院半导体研究所
摘要
本发明属于新型偏振光学器件领域，更具体地，涉及一种基于二维硒化亚锗的偏振相位调制器件及其设计方法。其设计方法包括以下步骤：本发明首先制作若干不同厚度的二维GeSe并将其附着于衬底上，获取这些二维GeSe的平面内光学常数，结合相位延迟量计算公式，计算得到不同厚度对应的相位延迟量，根据目标偏振相位调制器件对相位延迟量要求，确定该目标偏振相位调制器件中二维GeSe的厚度，最后通过实验测量和计算拟合的比较