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一种非本征二维复合磁性材料、制备方法及应用
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专利号
2021112699110
专利类型
发明
申请日
2021-10-29 00:00:00
公开日
2022-02-08 00:00:00
法律状态
有效
国家/地区
中国
IPC分类号
H01F41/18
技术领域
H-电学
申请人/权利人
华中科技大学
摘要
本发明公开了一种非本征二维复合磁性材料、制备方法及应用，属于二维材料制备领域。所述方法包括：在基底上生长磁性薄膜，退火使其形成磁性纳米颗粒；利用化学气相沉积法的方法将二维材料包覆在磁性纳米颗粒表面，形成曲面包覆结构，得到所述非本征二维复合磁性材料。该方法形成在室温下拥有磁性的非本征的复合二维材料，可以有效地控制材料尺寸，在非易失性磁性存储和谷‑自旋电子学器件方面具有巨大应用前景。由此解决二维本征磁