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一种III‑V族半导体MOSHEMT器件及其制备方法
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专利号
2017100263161
专利类型
发明
申请日
2017-01-13 00:00:00
公开日
2017-05-31 00:00:00
法律状态
有效
国家/地区
中国
IPC分类号
H01L21/335
技术领域
H-电学
申请人/权利人
桂林电子科技大学
摘要
本发明公开一种III‑V族半导体MOSHEMT器件及其制备方法，其组分渐变缓冲层降低III‑V半导体之间晶格失配，减少位错引进的缺陷。同时该器件结构不仅降低MOS界面态密度，并且通过对外延材料采用高In组分In0.7Ga0.3As/In0.6Ga0.4As/In0.5Ga0.5As复合沟道设计以及势垒层和缓冲层平面处的双掺杂设计充分的提高了2‑DEG的浓度与电子迁移率，降低了沟道的方块电阻。本发明