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基于寄生体二极管导通损耗调节的SiCMOSFET结温平滑控制方法及系统
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专利号
2021107005843
专利类型
发明
申请日
2021-06-23 00:00:00
公开日
2021-09-24 00:00:00
法律状态
有效
国家/地区
中国
IPC分类号
H02M1/088
技术领域
H-电学
申请人/权利人
桂林电子科技大学
摘要
本发明公开了一种基于寄生体二极管导通损耗调节的结温平滑控制方法及系统，通过评估MOSFET芯片稳态运行时平均结温；判断平均结温和/或基频结温波动幅度的改变量是否发生变化，如果否，则无需采取结温控制措施；如果是，则采取结温控制措施，所述结温控制措施是改变寄生体二极管的持续电流时间；评估MOSFET芯片的实际平均结温，直到实际平均结温符合预设阈值，结束结温控制措施。本发明提出的基于寄生体二极管导通时间