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一种基于光寻址电位传感器检测GPC3的方法
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专利号
2020105787930
专利类型
发明
申请日
2020-06-23 00:00:00
公开日
2020-09-22 00:00:00
法律状态
有效
国家/地区
中国
IPC分类号
G01N27/00
技术领域
G-物理
申请人/权利人
桂林电子科技大学
摘要
一种基于光寻址电位传感器检测GPC3的方法：将LAPS芯片、光源驱动电路、信号放大电路、和LabVIEW平台组成了LAPS实时测试系统。设计合成了AuNPs/PEI‑rGO复合材料；将AuNPs/PEI‑rGO和GPC3‑Apt修饰在LAPS芯片形成敏感单元。在敏感单元上滴加GPC3标准溶液，形成LAPS的测试基片；在外加偏置电压作用下，LAPS测试基片上GPC3与GPC3‑Apt的特异性结合导致