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一种石墨烯‑半导体双脊型混合表面等离子波导结构
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专利号
2017107893275
专利类型
发明
申请日
2017-09-05 00:00:00
公开日
2017-11-07 00:00:00
法律状态
有效
国家/地区
中国
IPC分类号
G02B6/122
技术领域
G-物理
申请人/权利人
广西师范大学
摘要
本发明公开了一种石墨烯‑半导体双脊型混合表面等离子波导结构，其特征是，包括自下而上顺序叠接的二氧化硅基底、二氧化硅缓冲层和高折射率半导体层，所述二氧化硅缓冲层中自下而上设有顺序叠接的脊型金属纳米层、矩形耦合层和倒脊型纳米层，脊型金属纳米层的底部与二氧化硅缓冲层的上表面叠接，倒脊型纳米层与高折射率半导体层的下表面叠接。这种混合表面等离子波导结构能够提高更强的局域化约束，具备了为表面等离子激励电路提供