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基于CsI离子掺杂空穴传输层的高性能自供电钙钛矿型光电探测器及其制备方法
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专利号
2021107791530
专利类型
发明
申请日
2021-07-09 00:00:00
公开日
2021-10-19 00:00:00
法律状态
有效
国家/地区
中国
IPC分类号
H01L51/42
技术领域
H-电学
申请人/权利人
广西大学
摘要
本发明涉及光电探测器件技术领域，尤其涉及一种基于CsI离子掺杂空穴传输层的高性能自供电钙钛矿型光电探测器及其制备方法。一种基于CsI离子掺杂空穴传输层的高性能自供电钙钛矿型光电探测器，主要由依次设置的衬底、导电阴极、电子传输层、钙钛矿光活性层、空穴传输层、修饰层和金属阳极组成，所述空穴传输层材料为Spiro‑OMeTAD。本发明使用了溶液处理方式，在Spiro‑OMeTAD溶液中引入了少量的CsI