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一种硫化钴铜纳米片及制备方法
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专利号
2022110032234
专利类型
发明
申请日
2022-08-22 00:00:00
公开日
2022-12-06 00:00:00
法律状态
有效
国家/地区
中国
IPC分类号
H01G11/24
技术领域
H-电学
申请人/权利人
桂林电子科技大学
摘要
本发明公开了一种超级电容器用的硫化钴铜纳米片材料及制备方法，所述硫化钴铜纳米片呈片状分级多孔结构，所述分级多孔结构由大孔径和介孔构成，大孔结构尺寸为167±30nm，介孔结构尺寸为2～15nm，所述硫化钴铜纳米片由9.5±1mmol的CuCl2·2H2O、15±1.5mmol的CoCl2·6H2O、12±1.2mmol的NH4F和18±2mmol的尿素经水热反应制得前驱体后再与过量的浓度为0.1M