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一种粉葛单芽茎段增殖及一步成苗培养方法
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专利号
202010175228X
专利类型
发明
申请日
2020-03-13 00:00:00
公开日
2020-05-15 00:00:00
法律状态
有效
国家/地区
中国
IPC分类号
A01H4/00
技术领域
A-人类生活必需
申请人/权利人
广西壮族自治区农业科学院
摘要
本发明公开了一种粉葛单芽茎段增殖及一步成苗培养方法，具体包括如下步骤：S1.外植体处理：选取生长健壮、无病虫害的幼嫩藤蔓，浸泡消毒然后用无菌水冲洗，最后用无菌滤纸吸干茎段表面水分备用；S2.无菌苗培养：在无菌条件下，将经过S1处理的藤蔓切成带芽的茎段，将生物学下端垂直竖插于初代培养基中培养，获得无菌苗；S3.单芽茎段增殖生根诱导：在无菌条件下，将上步骤所获得无菌苗切成带一个腋芽的单芽茎段转接到间歇