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一种兼具高稳定性与光刺激响应性的镝基单离子磁体超分子框架及其合成方法
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专利号
2022102624485
专利类型
发明
申请日
2022-03-16 00:00:00
公开日
2022-08-02 00:00:00
法律状态
有效
国家/地区
中国
IPC分类号
C08G83/00
技术领域
C-化学；冶金
申请人/权利人
桂林理工大学
摘要
本发明公开了一种兼具高稳定性与光刺激响应性的镝基单离子磁体超分子框架及其合成方法。此框架分子式为[Dy(thqa)]，单个分子由1个三(8‑羟基喹啉‑2‑甲醛)缩三(2‑氨乙基)胺席夫碱配体，以其3个酚氧原子、3个亚胺氮原子与3个喹啉氮原子共同螯合1个镝离子而形成单核配合物结构。各分子进而通过分子间π···π堆积作用与相邻的3个分子相连，形成超分子框架。热重测试、各种溶剂与碱性溶液浸泡样品的X‑射