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一种基于VO2的温控太赫兹变阻器
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价格
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专利号
2023201196112
专利类型
实用新型
申请日
2023-01-29
公开日
2023-08-01
法律状态
有效
国家/地区
中国
IPC分类号
H01C10/00
技术领域
H-电学
申请人/权利人
桂林电子科技大学
摘要
本实用新型提供了一种基于VO2的温控太赫兹变阻器，包括两块平行且上下间隔设置的基板，基板具有外表面和与外表面相间隔的内表面，内表面设置有周期起伏结构，周期起伏结构镀有金属薄膜，周期起伏结构包括多个间隔设置的凹槽；各基板的多个凹槽中，其中一个凹槽内设有支撑层，支撑层的一表面与凹槽的底面相贴合，支撑层的相对的另一表面设有二氧化钒薄膜；两块基板的内表面相对设置，一块基板的内表面的多个凹槽与另一块基板的内