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一种超高熔点稀土掺杂氧化铪光学单晶体的生长方法
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专利号
2022117018327
专利类型
发明
申请日
2022-12-29
公开日
2023-07-25
法律状态
有效
国家/地区
中国
IPC分类号
C30B29/16
技术领域
C-化学；冶金
申请人/权利人
广西大学
摘要
本发明公开了单晶薄膜技术领域的一种超高熔点稀土掺杂氧化铪光学单晶体的生长方法，所述生长方法包括以下步骤：S1、提高光学浮区炉的加热温度；S2、陶瓷料棒的制备：称量→混料→搅拌→烘干→制作料棒→抽气→等静压→烧结；S3、晶体生长：对直→对接→缩颈→扩肩→等径→收尾；S4、晶体加工：退火→切割→抛光；本发明中HfO2作为一种高介电常数材料可替代目前硅基集成电路的核心器件的栅极绝缘层二氧化硅，实现最小化